2025.04.01 Tohoku University Delegation Visits NYCU to Explore Spintronics Collaboration
To explore future opportunities for collaboration in the field of spintronics*, NYCU invited a three-member delegation from Tohoku University, led by former President OHNO Hideo, who now serves as Special Advisor to the President, to visit NYCU and various research facilities.
After meeting with NYCU President LIN Chi-Hung, the delegation visited TSMC, Taiwan Semiconductor Research Institute (TSRI), and the Industrial Technology Research Institute (ITRI). The members from Tohoku University gave presentations on their research in spintronics and MRAM*, while each host institute introduced their own facilities and research activities. The visit featured lively discussions and active exchange of questions and ideas.
The two universities plan to continue discussions to explore further avenues for collaboration.
※Spintronics
A field of research that aims to develop advanced energy-efficient electronics by utilizing not only the electronic charge of electrons, but also their magnetic property(spin).
※MRAM
Abbreviation for Magnetoresistive Random Access Memory. It is a type of non-volatile memory that stores information. It is a non-violate memory that stores information using the orientation of magnetic fields. MRAM enables high-speed operation due to its fast magnetization switching and offers excellent rewrite endurance, as it does not rely on atomic migration. These features give it distinct advantages over other non-volatile memory technologies.
A report of the day’s activities can also be found here.
2025年4月1日 東北大学の皆さんが陽明交通大学を訪問しました
スピントロニクス分野（※1）における将来的な連携の可能性を探るため、東北大学から大野英男前総長・総長特別顧問ら3名が陽明交通大学を招へいし、関係各所の視察を行いました。
林奇宏学長らとの懇談の後、TSMC、台湾半導体研究センター（TSRI）、工業技術研究院（ITRI）を訪問し、東北大学におけるスピントロニクスやMRAM（※2）に関する研究の紹介のほか、訪問機関からも施設や研究の状況について紹介があり、質疑や意見交換を通じた活発な議論がなされました。
今後も両大学では連携の可能性について議論を進めていく予定です。
※1 スピントロニクス
電子が持つ電気的性質（電荷）と磁気的性質（スピン）を利用し、高機能かつ低消費電力なエレクトロニクスの実現を目指す研究分野。
※2 MRAM
Magnetoresistive Random Access Memoryの略称。磁化の方向で情報を記憶する不揮発性メモリで、高速な磁化反転速度により高速動作が可能であるとともに、原子移動が無いく書き換え耐性が高く、他の不揮発性メモリに無い優位性を有している。
当日の様子はこちらにも掲載されています。
